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J-GLOBAL ID：200903089108274170

半導体基体を支持板上にろう接する方法

Inventor： ヘルムート シユトラツク ,  トーマス ラスカ
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 富村 潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997029687
Publication number (International publication number)：1997213719
Application date： Jan. 29, 1997
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ニッケル層を完全にろう材中に溶解することなく、使用されるニッケル層の厚さを極めて薄くできるようにろう接方法を改良する。【解決手段】 シリコン半導体基体1の裏側を金属製支持板2とニッケル層5を含む金属層の積層を介してろう接する際に、ろう材にろう材中のニッケルの通常のろう接温度(250°C〜400°C)での溶解度に相応するニッケル分を添加する。

Claim (excerpt)：

ろう接前にシリコンから始まって支持板の方向にニッケル層(5)及び銀層(6)を含んでおり、銀層(6)と支持板(2)との間に半導体基体(1)と支持板(2)をろう接するためのろう材(7)を入れるようにしたシリコンからなる半導体基体(1)を金属製支持板(2)上にろう接する方法において、ろう材(7)に通常のろう接温度でのろう材中のニッケルの溶解度に相応するニッケル分を添加することを特徴とする半導体基体を支持板上にろう接する方法。

IPC (2)：

H01L 21/52 ,  B23K 35/26 310

FI (3)：

H01L 21/52 E ,  H01L 21/52 B ,  B23K 35/26 310 A