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J-GLOBAL ID:200903089114935928

光電変換膜、並びに、該光電変換膜を含む太陽電池、光電変換素子、又は撮像素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 飯田 敏三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006168085
Publication number (International publication number):2007335760
Application date: Jun. 16, 2006
Publication date: Dec. 27, 2007
Summary:
【課題】光電変換効率が高く、光電変換する吸収波長域が拡大した光電変換膜、及び、該光電変換膜を含む太陽電池、光電変換素子、又は撮像素子を提供する。【解決手段】p型半導体層とn型半導体層を有し、該p型半導体層およびn型半導体層の少なくともいずれかが置換基を有するアセン系化合物を含む光電変換膜。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
p型半導体とn型半導体を有し、該p型半導体およびn型半導体の少なくともいずれかが置換基を有するアセン系化合物を含むことを特徴とする光電変換膜。
IPC (2):
H01L 51/42 ,  H01L 27/146
FI (2):
H01L31/04 D ,  H01L27/14 E
F-Term (31):
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA06 ,  4M118CA07 ,  4M118CA09 ,  4M118CA15 ,  4M118CA22 ,  4M118CA27 ,  4M118CB01 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  5F051AA11 ,  5F051DA03 ,  5F051DA17 ,  5F051DA18 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA07 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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