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J-GLOBAL ID：200903089140676337

透明導電積層体及びその製造方法

Inventor： 原 寛 ,  坪井 誠治
Applicant, Patent owner： 帝人株式会社
Agent (1)： 前田 純博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999176596
Publication number (International publication number)：2001001441
Application date： Jun. 23, 1999
Publication date： Jan. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】 導電性を維持しつつ、光線透過率をさらに向上させることに主眼をおいて、高透明性を有する透明導電性積層体を提供することにある。【解決手段】 屈折率n<SB>0</SB>の高分子基板上に、In-Zn-Oを主成分とし屈折率n<SB>1</SB>である膜厚d<SB>1</SB>の導電層1を形成し、ついで、当該層上に、In-Sn-Oを主成分とし屈折率n<SB>2</SB>(ただしn<SB>2</SB><n<SB>1</SB>)である膜厚d<SB>2</SB>の導電層2を順次形成した透明導電積層体であって、導電層1と導電層2の合計膜厚(d<SB>1</SB>+d<SB>2</SB>)は650〜1600Åであり、導電層1と導電層2の膜厚比(d<SB>1</SB>/d<SB>2</SB>)は0.2〜3.5であり、550nmにおける屈折率がn<SB>0</SB><n<SB>2</SB><n<SB>1</SB>であり、かつ全光線透過率が85%以上である透明導電積層体。

Claim (excerpt)：

屈折率n<SB>0</SB>の高分子基板上に、 屈折率n<SB>1</SB>である膜厚d<SB>1</SB>の導電層1を形成し、ついで、当該層上に、 屈折率n<SB>2</SB>(ただしn<SB>2</SB><n<SB>1</SB>)である膜厚d<SB>2</SB>の導電層2を順次形成した透明導電積層体であって、導電層1と導電層2の合計膜厚(d<SB>1</SB>+d<SB>2</SB>)は650〜1600Åであり、導電層1と導電層2の膜厚比(d<SB>1</SB>/d<SB>2</SB>)は0.2〜3.5であり、550nmにおける屈折率がn<SB>0</SB><n<SB>2</SB><n<SB>1</SB>であり、かつ全光線透過率が85%以上である透明導電積層体。

IPC (7)：

B32B 7/02 103 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/20 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503

FI (7)：

B32B 7/02 103 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 A ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/20 A ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B

F-Term (47)：

4F100AA01D ,  4F100AA01E ,  4F100AA17B ,  4F100AA17C ,  4F100AK01A ,  4F100AT00D ,  4F100AT00E ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EH66 ,  4F100JA20A ,  4F100JB01B ,  4F100JG01C ,  4F100JG04 ,  4F100JM02B ,  4F100JM02C ,  4F100JN01C ,  4F100JN18A ,  4F100JN18B ,  4F100JN18C ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  4F100YY00C ,  4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03