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J-GLOBAL ID：200903089144797570

発光素子及びその製造方法

Inventor： 飯島 正行 ,  新井 敏弘
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 飯阪 泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993215120
Publication number (International publication number)：1995050432
Application date： Aug. 06, 1993
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：

【要約】[目的] 発光効率が高く、かつ保存安定性の良好なSi系またはGe系の発光素子、及びその製造方法を提供する。[構成] Sn微粒子13を分散させたSiO2 膜12を有するSi基板11からなる発光素子であり、Si基板11上にSn13とSiO2 12をスパッタリングして製造される。

Claim (excerpt)：

IVb族のSn、Pb及びVb族のAs、Sb、Biの中の少なくとも1種の微粒子を分散させた膜を表面に形成させたSi基板またはGe基板であることを特徴とする発光素子。