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J-GLOBAL ID：200903089151058252

表面プラズモンセンサ

Inventor： 鈴木 晃子 ,  佐藤 明伸
Applicant, Patent owner： 日本航空電子工業株式会社
Agent (3)： 中尾 直樹 ,  中村 幸雄 ,  草野 卓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007301212
Publication number (International publication number)：2009128086
Application date： Nov. 21, 2007
Publication date： Jun. 11, 2009
Summary：

【課題】高感度な表面プラズモンセンサを実現する。【解決手段】周期的なトポグラフィを有する金属薄膜からなる表面プラズモン素子に目的物質が付着することにより生じる光透過特性の変化に基づいて目的物質を検出する表面プラズモンセンサにおいて、金属薄膜の周期的なトポグラフィを、周期的な開口24が設けられた誘電板基板(誘電体22)の少なくとも一方の板面と開口24の側壁面とに金属薄膜23を被覆形成することによって構成する。金属薄膜23の膜厚は目的物質の付着による表面プラズモン素子の光透過スペクトルの波長シフト量が金属薄膜23の膜厚に依存して変化する範囲の上限の膜厚tmax以下とする。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

周期的なトポグラフィを有する金属薄膜からなる表面プラズモン素子に目的物質が付着することにより生じる光透過特性の変化に基づいて目的物質を検出する表面プラズモンセンサであって、 前記金属薄膜の周期的なトポグラフィは、周期的な開口が設けられた誘電体基板の少なくとも一方の板面と前記開口の側壁面とに金属薄膜が被覆形成されることによって構成され、 その金属薄膜の膜厚は、前記目的物質の付着による前記表面プラズモン素子の光透過スペクトルの波長シフト量が金属薄膜の膜厚に依存して変化する範囲の上限の膜厚tmax以下とされていることを特徴とする表面プラズモンセンサ。

IPC (1)：

G01N 21/27

FI (1)：

G01N21/27 C

F-Term (6)：

2G059AA01 ,  2G059BB10 ,  2G059EE01 ,  2G059EE12 ,  2G059FF05 ,  2G059KK01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特許第3008931号公報
  
• 化学センサ、化学センサ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-177911   Applicant：キヤノン株式会社