Pat
J-GLOBAL ID：200903089168816436

多層レジストプロセス用下層膜形成組成物

Inventor：
河口 和雄

About 河口 和雄

, 
田中 正人

About 田中 正人

, 
下川 努

About 下川 努


Applicant, Patent owner：
ジェイエスアール株式会社

About ジェイエスアール株式会社


Agent (1)： 福沢 俊明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001097348
Publication number (International publication number)：2002296789
Application date： Mar. 29, 2001
Publication date： Oct. 09, 2002
Summary：
【要約】【課題】 RIE耐性に優れており、精細なパターンを形成するのに十分な薄膜として使用可能な多層レジストプロセス用下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】 下記式(1)で表される構造単位を有する重合体および溶剤を含有することを特徴とする多層レジストプロセス用下層膜形成組成物。【化1】〔式(1)において、R1 は1価の原子または基を示し、nは0〜4の整数であり、R2 およびR3 は1価の原子または基を示す。〕
Claim (excerpt)：
下記式(1)で表される構造単位を有する重合体および溶剤を含有することを特徴とする多層レジストプロセス用下層膜形成組成物。【化1】〔式(1)において、R1 は1価の原子または基を示し、nは0〜4の整数であり、複数存在するR1 は相互に同一でも異なっていてもよく、R2 およびR3 は相互に独立に1価の原子または基を示す。〕
IPC (8)：
G03F 7/11 503 ,  C08F 32/08 ,  C08F299/02 ,  C08G 10/00 ,  C08K 5/00 ,  C08L 45/00 ,  C08L 61/18 ,  H01L 21/027
FI (8)：
G03F 7/11 503 ,  C08F 32/08 ,  C08F299/02 ,  C08G 10/00 ,  C08K 5/00 ,  C08L 45/00 ,  C08L 61/18 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (45)：
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025DA35 ,  4J002BK001 ,  4J002BL021 ,  4J002CC042 ,  4J002CC121 ,  4J002EA056 ,  4J002ED026 ,  4J002EH036 ,  4J002EH156 ,  4J002EJ037 ,  4J002EJ047 ,  4J002EL066 ,  4J002EL106 ,  4J002FD142 ,  4J002FD147 ,  4J002GP03 ,  4J027AH03 ,  4J027CC03 ,  4J027CD10 ,  4J033DA02 ,  4J033DA12 ,  4J033HB10 ,  4J100AR09P ,  4J100AS15P ,  4J100BA03P ,  4J100BA14P ,  4J100BA16P ,  4J100BA29P ,  4J100BA41P ,  4J100BA52P ,  4J100BA56P ,  4J100BB01P ,  4J100BB03P ,  4J100BC43P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA31 ,  4J100HA53 ,  4J100HA56 ,  4J100HC17 ,  4J100JA37
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM