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J-GLOBAL ID：200903089178775258

薄膜キャパシタ及び半導体装置

Inventor： 佐野 賢也 ,  川久保 隆
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996060616
Publication number (International publication number)：1997252094
Application date： Mar. 18, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 誘電体層形成時におけるバリア層の酸化を抑制し、かつエピタキシャル構造を保ったバリア層を形成する。【解決手段】 基板上に、バリア層とその上に形成された下部電極およびペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体材料からなる誘電体膜と、その誘電体膜の上に形成された上部電極からなる薄膜キャパシタにおいて、前記バリア層が少なくとも1種類の元素M(M:Al、V、Mo、Nb、Ta)を含む(Ti1-x Mx)Nエピタキシャル層からなる。

Claim (excerpt)：

単結晶基板と;この単結晶基板上にエピタキシャル成長されたTiNとMN(ただしMはAl、V、Mo、Nb及びTaから選ばれた少なくとも一種)との固溶体からなるバリア層と;このバリア層上にエピタキシャル成長された下部電極と;この下部電極上にエピタキシャル成長されたペロブスカイト型結晶構造を有する誘電体層と;この誘電体層上に形成された上部電極とを具備したことを特徴とする薄膜キャパシタ。

IPC (7)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371