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J-GLOBAL ID：200903089186711749

炭素フィルムをスパタリングする方法及びその製造物

Inventor： ツトム・ヤマシタ ,  キョウヘング・リー ,  ラジブ・ワイ・ランジャン ,  ユリ・トラチック
Applicant, Patent owner： コマッグ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大島 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993077740
Publication number (International publication number)：1994145975
Application date： Mar. 10, 1993
Publication date： May. 27, 1994
Summary：

【要約】【目的】 小塊がターゲット表面に形成されることを防止し、スパタリング装置を連続して運転可能にすることを目的とする。【構成】 直流電力を炭素ターゲットに供給し、かつ前記炭素ターゲットの表面に小塊が形成されることを防止するべく、前記直流電力に交流電力を重畳する過程を有する。

Claim (excerpt)：

直流電力を炭素ターゲットに供給し、かつ前記炭素ターゲットの表面に小塊が形成されることを防止するべく、前記直流電力に交流電力を重畳する過程を有することを特徴とする炭素フィルムをスパタリングする方法。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/06 ,  G11B 5/84 ,  H01F 41/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-054764
  
• 特開平2-054764