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J-GLOBAL ID：200903089190371243

薄膜トランジスタアレイの製造方法

Inventor： 北野 文紹
Applicant, Patent owner： 鹿児島日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992042719
Publication number (International publication number)：1993283692
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】チャンネル堀込み型アモルファスシリコン薄膜トランジスタの製造方法でエッチング均一性と量産性向上を目的とする。【構成】ソース,ドレイン電極および表示電極形成後にチャンネル部のリンドープアモルファズシリコンおよびアモルファスシリコンを第4級アンモニウム塩を主成分とする有機アルカリ溶液でエッチングする薄膜トランジスタアレイの製造方法である。この方法は従来に比べてエッチング均一性が2倍に、生産効率が6倍に向上できる。

Claim (excerpt)：

アモルファスシリコンを用いたチャネル堀込み形薄膜トランジスタアレイの製造方法において、チャネル部のアモルファスシリコンを第4級アンモニウム塩を主成分とする有機アルカリ溶液で選択的にエッチングすることを特徴とする薄膜トランジスタアレイの製造方法。