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J-GLOBAL ID：200903089196153078

絶縁膜の形成方法

Inventor： 長谷川 利昭
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996086663
Publication number (International publication number)：1997283513
Application date： Apr. 09, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】 誘電率が低く耐熱性に優れる絶縁膜を、大口径基板上へも良好な均一性と平坦化特性をもって形成する。【解決手段】 高分子化合物を溶媒に溶解させた液状組成物を貯液タンク12から超音波ミスト化装置13へ送出してミスト化し、これをガスボンベ11から供給されるN2 ガスに乗せてシャワーヘッド2へ輸送し、ここから成膜チャンバ1内へ均一に放出させる。ここまでは、該高分子化合物のガラス転移温度より低い第1の温度域で行う。一方ウェハWは、上記高分子化合物のガラス転移温度以上,熱分解温度未満の第2の温度域に維持し、ウェハ面上での高分子被膜の形成と同時進行で溶媒を揮発させる。この方法により、耐熱性の発現に寄与する環構造を備えたフッ素系樹脂膜を、微細なデザイン・ルールにもとづく半導体装置の層間絶縁膜として形成することが可能となる。

Claim (excerpt)：

耐熱性の発現に寄与する分子構造を有する高分子化合物を溶媒に溶解させてなる液状組成物を該高分子化合物のガラス転移温度より低い第1の温度域でミスト化する第1工程と、前記ミスト化された液状組成物を、その温度を前記第1の温度域に維持しながら基板上へ輸送する第2工程と、前記基板上に前記高分子化合物の被膜を形成する第3工程とを有する絶縁膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 S