固体撮像素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安富耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997290004
Publication number (International publication number)：1999126896
Application date： Oct. 22, 1997
Publication date： May. 11, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 CCD固体撮像素子の出力信号のS/N比を改善する。つまり、ゲート絶縁膜とシリコン基板との界面付近で発生する暗電流に起因する電荷が表面領域に保持され、光電変換動作によって得られた情報電荷に混入するのを防止するCCDを提供する。【解決手段】シリコン基板11上に形成された複数のチャネル分離領域13の間に、埋め込みチャネルを構成するN型拡散層14が形成され、このN型拡散層14の表面にP型拡散層15が形成される。P型拡散層15は、N型拡散層14よりも浅く形成され、シリコン基板11の表面付近にポテンシャルの障壁を形成する。このポテンシャルの障壁により情報電荷と不要電荷とが分離される。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、上記半導体基板の一主面に分離領域で区画されて一方向に延在し、上記半導体基板の表面領域とは逆の導電型を示す第1の半導体領域と、上記第1の半導体領域の表面側に上記第1の半導体領域よりも浅く広がり、上記半導体基板の表面領域と同一の導電型を示す第2の半導体領域と、上記半導体基板の一主面上に上記第1及び第2の半導体領域を被って積層される絶縁膜と、上記絶縁膜上に上記第1及び第2の半導体領域と交差し、互いに平行に配置される複数の転送電極と、を備え、上記第1の半導体領域に情報電荷を蓄積すると共に、上記第2の半導体領域の表面側に前記半導体基板と前記絶縁膜との界面付近で発生する電荷を蓄積することを特徴とする固体撮像素子。

IPC (4)：

H01L 27/148 , H01L 29/762 , H01L 21/339 , H04N 5/335

FI (3)：

H01L 27/14 B , H04N 5/335 F , H01L 29/76 301 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

CCD固体撮像素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-257284 Applicant：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド

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