ナノギャップ電極の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小林浩 , 片山英二 , 小林純子 , 廣瀬隆行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003036568
Publication number (International publication number)：2004247203
Application date： Feb. 14, 2003
Publication date： Sep. 02, 2004
Summary：

【課題】集束イオンビームを用いた新たなリソグラフプロセスによりナノギャップ電極を容易に製造する方法を提供する。【解決手段】絶縁基板上に、電極層、金属マスク層をこの順に堆積する層堆積工程と、集束イオンビームを用いて前記金属マスク層をエッチングし、マスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、前記マスクパターン形成工程において形成されたマスクパターンにより前記電極層をマスクし、ドライエッチングにより前記電極層にパターンを転写するドライエッチング工程と、電極層に比べて金属マスク層を溶解しやすい溶液を用いて前記金属マスク層を溶解除去するウエットエッチング工程とを含むナノギャップ電極の製造方法。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に、電極層、金属マスク層をこの順に堆積する層堆積工程と、集束イオンビームを用いて前記金属マスク層をエッチングし、マスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、前記マスクパターン形成工程において形成されたマスクパターンにより前記電極層をマスクし、ドライエッチングにより前記電極層にパターンを転写するドライエッチング工程と、電極層に比べて金属マスク層を溶解しやすい溶液を用いて前記金属マスク層を溶解除去するウエットエッチング工程と、を含むナノギャップ電極の製造方法。

IPC (4)：

H01J37/305 , B82B1/00 , H01J37/317 , H01L21/027

FI (4)：

H01J37/305 A , B82B1/00 , H01J37/317 D , H01L21/30 551

F-Term (7)：

5C034BB09 , 5C034DD01 , 5C034DD06 , 5F056AA21 , 5F056AA40 , 5F056FA01 , 5F056FA05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開昭56-157026
微小試料加工観察方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-344226 Applicant：株式会社日立製作所
電子放出素子の製造方法及び電子放出素子及び電子源及び画像形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-402602 Applicant：キヤノン株式会社

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