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J-GLOBAL ID：200903089208584746

膜パターンの形成方法、膜パターン形成装置、導電膜配線、電気光学装置、電子機器並びに非接触型カード媒体

Inventor： 平井 利充 ,  長谷井 宏宣
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 渡邊 隆 ,  志賀 正武 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002277506
Publication number (International publication number)：2004119479
Application date： Sep. 24, 2002
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：

【課題】基板上の膜パターン形成領域に、形状の異なる複数のパターンを好適に形成する膜パターンの形成方法と、該形成方法によって得られる導電膜配線等を提供する。【解決手段】基板の表面を所望の撥液性に調整する第1の表面処理工程と、該第1の表面処理工程後の基板上に、第1配線1(第1のパターン)を形成する第1のパターン形成工程と、該第1のパターン形成工程後に、基板の表面の撥液性を劣化させる第2の表面処理工程と、該第2の表面処理工程後の基板上に、第1配線1と異なる形状を有する第2配線(第2のパターン)2を形成する第2のパターン形成工程とを備える。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に、パターン形成成分を含有する液状体からなる液滴を吐出し、所定のパターンを形成する膜パターンの形成方法において、 前記基板の表面を所望の撥液性に調整する第1の表面処理工程を含み、 該第1の表面処理工程後の前記基板上に、第1のパターンを形成する第1のパターン形成工程と、 該第1のパターン形成工程後に、前記基板の表面の撥液性を劣化させる第2の表面処理工程と、 該第2の表面処理工程後の前記基板上に、前記第1のパターンと異なる形状を有する第2のパターンを形成する第2のパターン形成工程と、 を有することを特徴とする膜パターンの形成方法。

IPC (3)：

H05K3/10 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288

FI (3)：

H05K3/10 D ,  H01L21/28 A ,  H01L21/288 Z

F-Term (32)：

2H092MA02 ,  2H092MA13 ,  2H092NA25 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  4M104AA01 ,  4M104AA10 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  5E343AA02 ,  5E343AA11 ,  5E343AA38 ,  5E343AA39 ,  5E343BB15 ,  5E343BB22 ,  5E343BB72 ,  5E343CC26 ,  5E343DD12 ,  5E343EE32 ,  5E343EE36 ,  5E343EE40 ,  5E343ER33 ,  5E343GG20