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J-GLOBAL ID：200903089212189282

微細凸凹パターンの形成方法および微細凸凹パターン形成基板

Inventor：
平岡 俊郎

About 平岡 俊郎

, 
中西 務

About 中西 務


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (6)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004041259
Publication number (International publication number)：2005230947
Application date： Feb. 18, 2004
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：
【課題】 微粒子の再配列と基板表面への固着とを両立して微細凸凹パターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 液体分散媒中に粒子が分散されてなる粒子分散液を準備する工程と、高分子を含有する捕捉層を、前記粒子の平均粒子径以下の層厚で基板上に形成する工程と、前記捕捉層のガラス転移温度以下の温度下で、前記粒子分散液を前記捕捉層上に塗布して塗膜を形成する工程と、前記捕捉層のガラス転移温度以下の温度下で、前記塗膜から前記液体分散媒を揮発させて、前記捕捉層上に前記粒子の堆積層を形成する工程と、前記捕捉層をガラス転移温度以上に加熱して、前記堆積層の最下層の粒子のみを前記捕捉層中に埋め込む工程と、前記粒子の堆積層を液体に浸漬して前記捕捉層中に埋め込まれていない粒子を除去し、前記最下層の粒子が前記捕捉層に配置されてなる単粒子層を形成する工程とを具備することを特徴とする。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
液体分散媒中に粒子が分散されてなる粒子分散液を準備する工程と、 高分子を含有する捕捉層を、前記粒子の平均粒子径以下の層厚で基板上に形成する工程と、 前記捕捉層のガラス転移温度以下の温度下で、前記粒子分散液を前記捕捉層上に塗布して塗膜を形成する工程と、 前記捕捉層のガラス転移温度以下の温度下で、前記塗膜から前記液体分散媒を揮発させて、前記捕捉層上に前記粒子の堆積層を形成する工程と、 前記捕捉層をガラス転移温度以上に加熱して、前記堆積層の最下層の粒子のみを前記捕捉層中に埋め込む工程と、 前記粒子の堆積層を液体に浸漬して前記捕捉層中に埋め込まれていない粒子を除去し、前記最下層の粒子が前記捕捉層に配置されてなる単粒子層を形成する工程と を具備することを特徴とする微細凸凹パターン形成方法。
IPC (6)：
B82B3/00 ,  G02B5/18 ,  G11B5/706 ,  G11B5/714 ,  G11B5/84 ,  G11B5/855
FI (6)：
B82B3/00 ,  G02B5/18 ,  G11B5/706 ,  G11B5/714 ,  G11B5/84 Z ,  G11B5/855
F-Term (31)：
2H049AA03 ,  2H049AA07 ,  2H049AA13 ,  2H049AA31 ,  2H049AA37 ,  2H049AA41 ,  5D006BA04 ,  5D006BA06 ,  5D006BA08 ,  5D006BA11 ,  5D006BA19 ,  5D006CA01 ,  5D006DA03 ,  5D006DA04 ,  5D006EA01 ,  5D006FA02 ,  5D006FA06 ,  5D112AA03 ,  5D112AA05 ,  5D112AA14 ,  5D112AA24 ,  5D112BB02 ,  5D112BB04 ,  5D112BB05 ,  5D112BB06 ,  5D112BB08 ,  5D112BD01 ,  5D112CC01 ,  5D112CC13 ,  5D112GA02 ,  5D112GA28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第5772905号
Cited by examiner (7)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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