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J-GLOBAL ID：200903089217542487
薄膜トランジスタ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
阪本 清孝 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992081483
Publication number (International publication number)：1993251705
Application date： Mar. 04, 1992
Publication date： Sep. 28, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体活性層としてアモルファスシリコンよりもバンドギャップの大きい透明材質からなる半導体を使用することで、入射光に影響されず、また開口率を増大させることができ、微細化が可能である薄膜トランジスタを提供する。【構成】 ガラス基板1上に形成された逆スタガ型薄膜トランジスタであり、半導体活性層3に導電性の低いITO膜を使用することで、入射光による光電流が発生せず、電荷の読み出しを正確に行うことができる薄膜トランジスタである。
Claim (excerpt)：
ゲ-ト電極とゲート絶縁膜とソ-ス電極とドレイン電極と半導体層とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層の伝導帯と価電子帯とのエネルギバンドギャップが3eV以上で、前記半導体層を透光性膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/784
, H01L 27/12
, H01L 27/146
H01L 29/78 311 H
, H01L 27/14 E
