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J-GLOBAL ID：200903089241450461

多層配線基板の製造方法

Inventor： 橋本 晃
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991202844
Publication number (International publication number)：1993048269
Application date： Aug. 13, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 多層配線基板のビアホール形成法にYAGレーザを用いることで直径100μm以下のビアホールを形成し、更にそのビアホール部の上下導体間の接続を安定させるものである。【構成】 多層配線基板の製造方法において、下部導体2を有するベース基板1の上面全体に絶縁層3を形成した後、前記絶縁層3の下部導体2上の部分にYAGレーザによりビアホール6を設け、その後前記絶縁層3上に前記ビアホール6を通して下部導体2に接続される上部導体5を形成するものである。

Claim (excerpt)：

下部導体を有するベース基板の上面全体に絶縁層を形成した後、前記絶縁層の下部導体上の部分にYAGレーザによりビアホールを設け、その後前記絶縁層上に前記ビアホールを通して下部導体に接続される上部導体を形成する多層配線基板の製造方法。

IPC (2)：

H05K 3/46 ,  H05K 3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-148195
  
• 特開昭62-274696
  
• 特開昭61-133695