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J-GLOBAL ID:200903089245322760

オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2003507594
Publication number (International publication number):2004532533
Application date: Jun. 19, 2002
Publication date: Oct. 21, 2004
Summary:
光学素子たとえばレンズをオプトエレクトロニクス素子に設けるために、充填剤(3)の、送光器または受光器(2)から離間する側の表面(3B)に直接的にレンズプロフィール(7)を形成することが提案される。本発明によれば、所定量の透過性の充填剤(3)を、送光器または受光器(2)を埋め込むために支持本体(1)の凹所(1A)に充填し、次いでレンズプロフィール(7)を備えた透過性の充填剤が完全硬化するまえに、ポンチ(8)を用いて、透過性の充填剤(3)の、送光器または受光器(2)から離間する側の表面(3B)にレンズプロフィール(7)を圧刻する。
Claim (excerpt):
オプトエレクトロニクス素子であって、 凹所(1A)を備えた支持本体(1)が設けられており、 該凹所(1A)内で支持本体(1)上に配置されたオプトエレクトロニクス式の送光器または受光器(2)が設けられており、 オプトエレクトロニクス式の送光器または受光器(2)を支持本体(1)の凹所(1A)に埋め込む、透過性材料から成る充填剤(3)が設けられている形式のものにおいて、 充填剤(3)の、送光器または受光器(2)から離間する側の表面(3B)にレンズプロフィール(7)が形成されていることを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子。
IPC (2):
H01L33/00 ,  G02B3/08
FI (2):
H01L33/00 N ,  G02B3/08
F-Term (9):
5F041AA06 ,  5F041AA42 ,  5F041DA07 ,  5F041DA19 ,  5F041DA36 ,  5F041DA46 ,  5F041DA57 ,  5F041DA59 ,  5F041DB09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
  • 発光ダイオードの実装構造
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-301584   Applicant:松下電工株式会社
  • 光半導体素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-263795   Applicant:オムロン株式会社
  • 半導体発光素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-199944   Applicant:日本ビクター株式会社
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