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J-GLOBAL ID：200903089245334911

半導体素子の冷却構造

Inventor： 佐野 俊史
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： ▲柳▼川 信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996119411
Publication number (International publication number)：1997307034
Application date： May. 15, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 発熱量が高くない半導体素子を冷却するための風が流されている場合でも周囲の風の流れを乱すことなく、高い冷却能力を保つ。【解決手段】 ヒートシンク1は半導体素子6を搭載するLSIケース5の放熱面上に接着剤7によって固着されている。ヒートシンク1のベース面2上には複数の板状のフィン3が垂直に取付けられ、通風方向に方向性を持つ形状のヒートシンクとなっている。複数の板状のフィン3にはベース面2との間で鋭角を形成するような斜辺3aが設けられ、この斜辺3aにファン4が取付けられる。【効果】 ファン4が送り込む風はベース面2に衝突した後に、複数のフィン3各々に案内されて一方向にのみ排気される。

Claim (excerpt)：

半導体素子を搭載するLSIケースの放熱面上に固定されるヒートシンクと、前記半導体素子を冷却するために前記ヒートシンク上に前記放熱面に対して垂直方向に取付けられかつ各々前記ヒートシンクのベース面との間で鋭角をなす斜辺を含む複数の板状のフィンと、前記複数のフィン各々の斜辺に取付けられかつ前記LSIケース周辺の空気を前記ベース面に吹き付けるファンとを有することを特徴とする半導体素子の冷却構造。