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J-GLOBAL ID：200903089252624526

化合物半導体装置

Inventor： 塩田 昌弘
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991286168
Publication number (International publication number)：1993129342
Application date： Oct. 31, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 オーミックコンタクトの接触抵抗の低減化と安定化を図る。【構成】 オーミック電極であるソース電極28およびドレイン電極29を硫化物層33を介してアンドープAlInAsショットキー層26上に形成する。このように、表面順位密度の低い硫化物層33を介してオーミック電極を形成することによって、オーミックコンタクトの接触抵抗の低減化と安定化を図る。

Claim (excerpt)：

半導体層上に形成されてこの半導体層とオーミック接合によって対峙しているソース電極及びドレイン電極と、上記半導体層上に形成されてこの半導体層とショットキー接合によって対峙しているゲート電極とを有して、上記ソース電極とゲート電極との間に印加する電圧によってソース電極とドレイン電極との間の電流を制御する化合物半導体装置において、上記ソース電極の下及びドレイン電極の下に硫化物層を備えたことを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20