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J-GLOBAL ID：200903089253542663

半導体集積回路

Inventor： 森川 陽二
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993064219
Publication number (International publication number)：1994275626
Application date： Mar. 23, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 同一基板上に配置される各素子同士の電磁波等のノイズによる干渉を防止し、集積度を向上させた半導体集積回路と提供することである。【構成】 導電性基板上に、半導体薄膜2を形成し、該半導体薄膜2に複数の素子を形成した半導体集積回路において、前記半導体薄膜上に形成された複数の素子のうち、1つまたは2つ以上の素子を含む領域を取り囲むように導電性膜3を前記導電性基板1面に達するように形成したことを特徴とする半導体集積回路。

Claim (excerpt)：

導電性基板上に、半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜に複数の素子を形成した半導体集積回路において、前記半導体薄膜上に形成された複数の素子のうち、1つまたは2つ以上の素子を含む領域の周囲を取り囲むように導電性膜を前記導電性基板面に達するように形成したことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/04