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J-GLOBAL ID：200903089283200678

半導体ウエハ・レベル・パッケージ

Inventor： ビクター・ジェイ・アダムス ,  ポール・ティー・ベネット ,  ヘンリー・ジー・ヒューグス ,  ブルックス・エル・スコフィールド・ジュニア ,  マリリン・ジェイ・スタッキー
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992351584
Publication number (International publication number)：1993291388
Application date： Dec. 09, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 ウエハをダイシングする前に行う半導体デバイスのパッケージングの提供。【構成】 ウエハを個々のチップにダイシングする前に、半導体基板ウエハ11の上に製造されたデバイス12を封入するのに用いる半導体ウエハ・レベル・パッケージ。キャップ・ウエハ16は、デバイス12が空洞内17で気密封止されるように、所定パターンのフリット・ガラス14を結合材として用いて、半導体基板ウエハ11に結合されている。キャップ・ウエハ16内の孔18によって、フリット・ガラス・シール14全体に伸びる電極13を介して、デバイスとの電気接続を可能にする。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ・レベル・パッケージであって、前記パッケージは:半導体基板ウエハ(11)の上に作られた少なくとも1つのデバイス(12)であって、前記半導体基板ウエハ(11)が複数の分離したチップにダイシングされていないところの少なくとも1つのデバイス(12);所定の高さおよび所定の厚みを持つ所定のパターンのフリット・ガラス壁(14)を表面上に有するキャップ・ウエハ(16)であって、前記所定のパターンが、少なくとも前記デバイス(12)が前記フリット・ガラス壁(14)に完全に囲まれる形になっているところのキャップ・ウエハ(16);および半導体基板ウエハ(12),キャップ・ウエハ(16)およびフリット・ガラス壁(14)の組み合わせによって形成される所定の寸法の空洞(17)の中に前記デバイス(12)が気密封止されるように、前記フリット・ガラス壁(14)を結合材として用いて、前記キャップ・ウエハ(16)を前記半導体基板ウエハ(11)に結合することによって作られるハーメチック・シール;によって構成されることを特徴とする半導体ウエハ・レベル・パッケージ。

IPC (4)：

H01L 21/68 ,  B65D 85/00 ,  B65D 85/38 ,  H01L 21/78

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭63-217243