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J-GLOBAL ID：200903089283407159

磁気抵抗センサ

Inventor： 渡辺 克朗 ,  目黒 賢一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997104221
Publication number (International publication number)：1998294504
Application date： Apr. 22, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】出力波形の線形性,対称性が良く,高感度の磁気抵抗センサを提供する。【解決手段】非磁性導電膜13を介して積層された強磁性薄膜14と強磁性薄膜12が積層されており、強磁性薄膜14の磁化の方向は固定されており、強磁性薄膜12の磁化は外部磁界により回転する。強磁性薄膜12を、正の異方性磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜層121と負の異方性磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜層122で構成する。

Claim (excerpt)：

非磁性導電膜を介して第一の強磁性薄膜と第二の強磁性薄膜が積層されており、前記第一の強磁性薄膜の磁化の方向は固定されており、前記第二の強磁性薄膜の磁化は外部磁界により回転し、前記第一の強磁性薄膜の磁化の方向と前記第二の強磁性薄膜の磁化の方向の相対的な角度が変わることによって電気抵抗が変化する磁気抵抗センサ膜と、前記磁気抵抗センサ膜に信号検出電流を流すための電極と、前記磁気抵抗センサ膜の電気抵抗変化を検知する手段を有する磁気抵抗センサにおいて、前記第二の強磁性薄膜が、正の異方性磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜層と、負の異方性磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜層から構成されていることを特徴とする磁気抵抗センサ。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16

FI (4)：

H01L 43/08 M ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  G01R 33/06 R