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J-GLOBAL ID：200903089308340704
埋込み形および突起状タングステンプラグを形成するための化学的・機械的ポリッシング方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
田澤 博昭 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993026065
Publication number (International publication number)：1993275366
Application date： Jan. 22, 1993
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 タングステン等の導電性材料から成る従来よりも一層均一で凹みがないプラグを製造する方法を提供する。【構成】 コンタクト開孔16を有する絶縁層10を作り、金属層14をその上に重ねる。ポリッシングパッドをウエハー面に対して回転させ乍ら金属に作用するスラリーを用いてウエハー面上に亙っている金属を除去し、その化学的作用および繊維成分の作用によりコンタクト開孔16内の金属を凹ませる。次の工程では絶縁材料に関して選択的に作用する酸または塩基を含有するスラリーを用いて金属14周辺から絶縁材料10を除去する。又これは表面を磨くための研磨性材料を含み金属の高さが絶縁層の面と同じになるようにする。絶縁材料の除去は、プラグが僅かに突起するまで継続する。
Claim (excerpt)：
絶縁層中に導電性プラグを形成する方法において該方法が次の工程、a) 該絶縁層(10)中にコンタクト開孔(16)を形成するために絶縁層(10)の一部を除去する工程、b) 該絶縁層(10)の一表面に導電性材料(14,30)層を重ね合わせて該導電性材料(14)を該コンタクト開孔16に充填することにより該絶縁層(10)表面に亙って該導電性材料(30)層を形成する工程、c) 絶縁層(10)の該表面から該導電性材料(30)の少なくとも一部を取り除き、かつ該導電性材料(14)で実質的に充填した該コンタクト開孔(16)を残留させる工程、および、d) 該絶縁層表面の高さが該導電性材料(14)の上面よりも下方に位置するまで絶縁層(10)の一部を取り除く工程、から成る方法。
IPC (5)：
H01L 21/28
, H01L 21/28 301
, B24B 7/22
, H01L 21/304 321
, H01L 21/90
