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J-GLOBAL ID：200903089323253788

電界効果トランジスタを含む半導体装置

Inventor：
岩渕 昭夫

About 岩渕 昭夫


Applicant, Patent owner：
サンケン電気株式会社

About サンケン電気株式会社


Agent (1)： 高野 則次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999071434
Publication number (International publication number)：2000269352
Application date： Mar. 17, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：
【要約】【課題】 高耐圧構造のMOSFETを含む半導体装置が熱破壊する。【解決手段】 サブストレート領域11の上に第1のドレイン領域12とこれよりも不純物濃度の高い第2のドレイン領域13とチャネル形成領域14とソース領域15とを有するMOSFETにおいて、第1のドレイン領域12′の中央部の不純物濃度を高くし、第1のドレイン領域12′側への空乏層の広がりを制限し、電流通路が狭くなることを防ぐ。
Claim (excerpt)：
共通の半導体基体(3)に基づいて形成された第1の半導体素子(1)と第2の半導体素子(2)とを含み、前記第1の半導体素子(1)は絶縁ゲート型電界効果トランジスタである半導体装置であって、前記半導体基体(3)は、第1導電形のサブストレート領域(11)と、第1導電形と反対の第2導電形の第1及び第2のドレイン領域(12′、13)と、第1導電形のチャネル形成領域(14)と、第2導電形のソース領域(15)と、前記第2の半導体素子(2)のための半導体領域(16)とを有し、前記サブストレート領域(11)は前記第1及び第2の半導体素子(1、2)の共通のサブストレートであり、前記第1のドレイン領域(12′)は前記サブストレート領域(11)の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有し且つ前記半導体基体(3)の一方の主面に露出する部分を有し且つ前記サブストレート領域(11)に隣接する部分を有するように配置され、前記第1のドレイン領域(12′)の不純物濃度は前記第2のドレイン領域(13)から前記チャネル形成領域(14)に向かって段階的又は連続的に低下するように設定され、前記第2のドレイン領域(13)は前記第1のドレイン領域(12′)の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有し且つ前記半導体基体(3)の一方の主面に露出するように配置され且つ前記第1のドレイン領域(12′)の中に島状に配置され、前記チャネル形成領域(14)は前記半導体基体(3)の一方の主面に露出する部分を有し且つ前記第2のドレイン領域(13)から離間して前記第1のドレイン領域(12′)に隣接するように配置され、前記ソース領域(15)は前記チャネル形成領域(14)の中に島状に配置され、前記第2のドレイン領域(13)にドレイン電極(4)が接続され、前記ソース領域(15)にソース電極(5)が接続され、前記半導体基体(3)の一方の主面の前記ソース領域(15)と前記第1のドレイン領域(12′)との間を覆うようにゲート絶縁膜(6)が設けられ、前記ゲート絶縁膜(6)の上にゲート電極(7)が配置されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/78
FI (3)：
H01L 27/08 102 A ,  H01L 29/44 E ,  H01L 29/78 301 W
F-Term (22)：
4M104EE03 ,  4M104FF10 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  5F040DA00 ,  5F040EA05 ,  5F040EE04 ,  5F040EE05 ,  5F040EF11 ,  5F040EF18 ,  5F040EM06 ,  5F040FC05 ,  5F048AA05 ,  5F048AC06 ,  5F048BA07 ,  5F048BC01 ,  5F048BC03 ,  5F048BD09 ,  5F048BH01 ,  5F048CA03 ,  5F048DA08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-242199   Applicant：サンケン電気株式会社
  • 特開昭61-180483
  • 特開昭62-274767
Cited by examiner (3)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-242199   Applicant：サンケン電気株式会社
  • 特開昭61-180483
  • 特開昭62-274767

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