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J-GLOBAL ID：200903089328581651

マイクロ波用磁性体材料およびこれを用いた高周波回路部品

Inventor： 井上 修 ,  佐藤 利文 ,  古川 裕高 ,  平本 雅祥 ,  竹内 孝之 ,  松川 望
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995326779
Publication number (International publication number)：1997167703
Application date： Dec. 15, 1995
Publication date： Jun. 24, 1997
Summary：

【要約】【課題】 低温焼成可能な高周波用磁性体材料。およびこれを用いた、高周波回路部品を得ること。【解決手段】 主組成として少なくともアルカリ土類金属元素の1種類以上と、PbとCuの少なくとも1種類以上と、FeとOを含む、六方晶系フェライトを主要相とする、セラミックス磁性体材料。また主組成として少なくともアルカリ土類金属元素の1種類以上と、FeとOを含む六方晶系フェライトを主要相とし、副成分として金属酸化物M<SB>x</SB>O<SB>y</SB>を0<M<SB>x</SB>O<SB>y</SB>≦10重量%含む(ただしはV<SB></SB><SB>2</SB>O<SB>5</SB>,CuO,Bi<SB>2</SB>O<SB>3</SB>,MoO<SB>3</SB>,WO<SB>3</SB>,PbOのうちの1種類以上)事を特徴とする、セラミックス磁性体材料。

Claim (excerpt)：

主組成として少なくともアルカリ土類金属元素の1種類以上と、鉛(Pb)と銅(Cu)の少なくとも1種類以上と、鉄(Fe)と酸素(O)を含む、六方晶系フェライトを主要相とする、セラミックス磁性体材料。

IPC (3)：

H01F 1/34 ,  C01G 49/00 ,  C04B 35/26

FI (4)：

H01F 1/34 D ,  C01G 49/00 C ,  C04B 35/26 Z ,  H01F 1/34 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭50-032207
  
• 特開平2-096302
  
• 特開平1-091402