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J-GLOBAL ID:200903089333901222

偏光制御レーザダイオード

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 光石 俊郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992150455
Publication number (International publication number):1993343800
Application date: Jun. 10, 1992
Publication date: Dec. 24, 1993
Summary:
【要約】【目的】 出力光の偏光特性を制御することができるレーザダイオードを提供する。【構成】 レーザダイオード10の活性層に量子細線領域14を用いると共にその細線14aの長手方向をレーザストライプと平行にし、細線14aのレーザストライプに直交する断面の形状比により偏光特性を制御する。
Claim (excerpt):
半導体レーザの活性層に半導体1次元量子細線構造を用い且つその細線の長手方向がレーザストライプに平行になるよう配置してなり、上記量子細線構造の各細線のレーザストライプに直交する断面の形状比により当該活性層の利得の偏光特性が制御されていることを特徴とする偏光制御レーザダイオード。

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