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J-GLOBAL ID：200903089344581076

半導体装置の層間絶縁膜構造およびその形成方法

Inventor： 野口 修
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994243321
Publication number (International publication number)：1996083846
Application date： Sep. 12, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ポリシリコンとアルミニウム配線をBPSG膜で絶縁する際のトランジスタ特性、信頼性低下を防止する。【構成】 CVD法などによって基板1の表面にBPSG膜7を成膜するに先立ち、基板表面に不純物を含まないNSG膜6を形成する。BPSG膜7形成後は、リフロー処理によって基板表面を平坦化した後、同じチャンバ内でRTNを行い、SiN膜8をBPSG膜7上に被覆させる。NSG膜6によってリフロー時の不純物の基板、ポリシリコン2内への拡散がブロックでき、SiN膜8によって、BPSG膜7への水分吸着が防止され、トランジスタ特性の低下が防止される。また、リフローとRTNを同じチャンバ内で連続することによりプロセス間の水分吸着を低減することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の多結晶シリコンとアルミニウムを、不純物を含む酸化シリコン膜で絶縁するようにした半導体装置の層間絶縁膜構造において、前記酸化シリコン膜と多結晶シリコンとの間、および酸化シリコン膜と前記半導体基板との間に、不純物を含まない絶縁膜を形成するとともに、前記酸化シリコン膜上にシリコン窒化膜を被覆させたことを特徴とする半導体装置の層間絶縁膜構造。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318