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J-GLOBAL ID：200903089345121192

キャパシタの製造方法

Inventor： 舘下 八州志
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995292526
Publication number (International publication number)：1997135000
Application date： Nov. 10, 1995
Publication date： May. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】 フィン型キャパシタのフィンを形成する際に、非晶質の導電性膜でフィンを形成してからそれを結晶化すると、結晶化のためのアニーリングの熱ストレスによって、フィンが曲がったり折れたりした。【解決手段】 非晶質の導電性膜(P-DAS膜15)と導電性膜に対して選択的にエッチングされる被エッチング膜14、16とで積層膜を形成する工程と、その積層膜に開口部18を形成した後、開口部18の内壁および積層膜上に非晶質の導電性膜(P-DAS膜19)を形成する工程と、各被エッチング膜14、16を除去してP-DAS膜15、19でフィン型キャパシタのフィン部分を形成する工程とを備えたキャパシタの製造方法であって、各P-DAS膜15、19を形成した後で各被エッチング膜14、16を除去する前に、アニーリングによって各P-DAS膜15、19を結晶化させる。

Claim (excerpt)：

非晶質の導電性膜と導電性膜に対して選択的にエッチングされる被エッチング膜とを順に堆積して積層膜を形成する工程と、前記積層膜に開口部を形成した後該開口部の内壁および該積層膜上に非晶質の導電性膜を形成する工程と、前記各被エッチング膜を除去して前記非晶質の導電性膜でフィン型キャパシタのフィン部分を形成する工程とを備えたキャパシタの製造方法において、前記各非晶質の導電性膜を形成した後で前記各被エッチング膜を除去する前に、アニーリングによって前記非晶質の導電性膜を結晶化させることを特徴とするキャパシタの製造方法。

IPC (7)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/318 C ,  H01L 27/10 621 A