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J-GLOBAL ID：200903089351881808

半導体レーザ素子

Inventor： 本多 正治 ,  庄野 昌幸 ,  池上 隆俊 ,  別所 靖之 ,  ▲広▼山 良治 ,  賀勢 裕之
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994320021
Publication number (International publication number)：1996181385
Application date： Dec. 22, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 信頼性が高く且つ低消費電力の半導体レーザ素子を提供することが目的である。【構成】 n型GaAs半導体基板1と、この基板1の一主面上に形成されたn型クラッド層3と、このn型クラッド層3上に形成され量子井戸層5aと量子障壁層5bとが交互に積層されてなる量子井戸構造を有する活性層5と、この活性層5上に形成されたp型のクラッド層9,10を備え、量子井戸層5aが圧縮歪みを有し、且つ基板1の前記一主面が{100}面から<011>方向に9度以上17度以下に傾斜した面であり、且つ共振器長が150μm以上300μm以下である。

Claim (excerpt)：

第1導電型のGaAs半導体基板と、該基板の一主面上に形成された第1導電型のクラッド層と、該第1導電型のクラッド層上に形成され量子井戸層と量子障壁層とが交互に積層されてなる量子井戸構造を有する活性層と、該活性層上に形成された前記第1導電型とは逆導電型である第2導電型のクラッド層と、を備え、前記量子井戸層が圧縮歪みを有し、且つ前記基板の前記一主面が{100}面から<011>方向に9度以上17度以下に傾斜した面であり、且つ共振器長が150μm以上300μm以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-229729   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭63-288082
  
• 特開昭60-091692
  
• 特開平1-166588