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J-GLOBAL ID：200903089354520431

磁気抵抗効果素子

Inventor： 岸 均 ,  清水 豊 ,  長坂 恵一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997261641
Publication number (International publication number)：1999103102
Application date： Sep. 26, 1997
Publication date： Apr. 13, 1999
Summary：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果素子に関し、デュアルスピンバルブ磁気抵抗センサのフリー層の磁化方向を、センス電流によって制御する。【解決手段】 デュアルスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子の第1の非磁性金属層3側に流れるセンス電流と第2の非磁性金属層5側に流れるセンス電流が互いに異なるように設定する。

Claim (excerpt)：

第1の非磁性金属層及び第2の非磁性金属層によりそれぞれ互いに分離された第1の強磁性体層、第2の強磁性体層、及び、第3の強磁性体層を備え、前記第2の強磁性体層が前記第1の非磁性金属層と第2の非磁性金属層との間に配置され、且つ、前記第1の強磁性体層及び第3の強磁性体層の磁化方向が互いに平行に固定されたデュアルスピンバルブ型の磁気抵抗効果素子において、前記第1の非磁性金属層側に流れるセンス電流と前記第2の非磁性金属層側に流れるセンス電流が異なることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00

FI (4)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  G01R 33/06 R