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J-GLOBAL ID：200903089358252334
気相成長装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
木戸 一彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997025505
Publication number (International publication number)：1998223543
Application date： Feb. 07, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】 良質で均一性に優れた薄膜、特に二成分系以上の化合物半導体薄膜を効率よく得られる気相成長装置を提供する。【解決手段】 基板4より上流側の反応管1内に基板面と平行に配設した仕切板6の先端部8の肉厚を薄くする。
Claim (excerpt)：
薄膜を形成する基板より上流側の反応管内に、基板面と平行な仕切板を配設した気相成長装置において、前記仕切板の先端部の肉厚を連続的に薄くなるように形成したことを特徴とする気相成長装置。
IPC (4)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C30B 25/14
, C30B 29/40 502
H01L 21/205
, C23C 16/44 D
, C30B 25/14
, C30B 29/40 502 D
