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J-GLOBAL ID：200903089361659577

半導体加速度センサ

Inventor： 武槍 徳久
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002346619
Publication number (International publication number)：2004177357
Application date： Nov. 29, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】高耐衝撃性を有するとともに小型・薄型で高感度な半導体加速度センサを低コストで提供する。【解決手段】本発明の半導体加速度センサは、質量部と、空隙を介し質量部を囲み周設した枠部と、質量部と枠部とを連結した互いに直交する2対の弾性部と、弾性部の上部に配設した検出軸ごとに複数のピエゾ抵抗素子とを有する半導体加速度センサであって、質量部又は/及び枠部との弾性部の連結端部の幅をその連結端側に向かい広くしたものである。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

質量部と、空隙を介し質量部を囲み周設した枠部と、質量部と枠部とを連結した互いに直交する2対の弾性部と、弾性部の上部に配設した検出軸ごとに複数のピエゾ抵抗素子とを有する半導体加速度センサであって、質量部又は/及び枠部との弾性部の連結端部の幅をその連結端側に向かい広くしたことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2)：

G01P15/12 ,  H01L29/84

FI (2)：

G01P15/12 D ,  H01L29/84 A

F-Term (22)：

4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA26 ,  4M112CA27 ,  4M112CA36 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA10 ,  4M112DA11 ,  4M112DA15 ,  4M112EA01 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA10 ,  4M112EA11 ,  4M112FA01 ,  4M112FA07 ,  4M112FA09 ,  4M112FA20