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J-GLOBAL ID：200903089362876814

太陽電池の製造方法、それにより製造された太陽電池、並びに半導体素子の製造方法

Inventor： 三宮 仁 ,  長野 尉絵 ,  中西 健 ,  谷口 浩
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998073968
Publication number (International publication number)：1999274533
Application date： Mar. 23, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、非晶質半導体を用いた太陽電池に好適で、高温プロセスを用いても高性能の凹凸形状の散乱反射面が形成可能な太陽電池の製造方法、それにより製造された太陽電池を提供することを目的とする。【解決手段】 シリコーン樹脂から成る透光性接着樹脂材料2を基板1上に塗布した後、その透光性接着樹脂材料2上に樹脂フィルム3を接着する工程を含む太陽電池の製造方法とする。

Claim (excerpt)：

シリコーン樹脂から成る透光性接着樹脂材料を基板上に塗布した後、該透光性接着樹脂材料上に樹脂フィルムを接着する工程を含む太陽電池の製造方法。

FI (2)：

H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 太陽電池モジュール及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-142765   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平4-196364
  
• 太陽電池モジュール及びその設置方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-062899   Applicant：キヤノン株式会社
• 太陽電池付きユニット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-311805   Applicant：株式会社アイジー技術研究所