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J-GLOBAL ID：200903089369736333

光電変換装置およびその製造方法

Inventor：
田中 聡

About 田中 聡

, 
藤井 秀章

About 藤井 秀章


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 大島 泰甫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998304895
Publication number (International publication number)：2000133826
Application date： Oct. 27, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：
【要約】【課題】 シリコン基板の裏面上でのアルミ電極と銀電極との界面をなくして、応力集中を防いで割れ強度を高める。【解決手段】 シリコン基板1の裏面1bの大部分にアルミペーストを塗布して乾燥し、この塗布面の一部分に銀ペーストを塗布して乾燥し、シリコン基板1の受光面1aに銀ペーストを塗布して乾燥し、その後焼成する。シリコン基板1の受光面1aに受光面電極6、裏面1b上にアルミ電極5、さらにこのアルミ電極5の上面の一部に銀電極4が同時に形成される。
Claim (excerpt)：
半導体基板の受光面とは異なる側の表面の大部分に第1の金属ペーストを塗布し、この塗布面の一部分に前記第1の金属ペーストよりもはんだ濡れ性の良好な金属を主成分とする第2の金属ペーストを塗布し、その後焼成して電極を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
F-Term (7)：
5F051AA02 ,  5F051BA11 ,  5F051CB27 ,  5F051FA10 ,  5F051FA15 ,  5F051FA30 ,  5F051GA04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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