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J-GLOBAL ID：200903089375876635
高周波電力増幅装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991357278
Publication number (International publication number)：1993175757
Application date： Dec. 25, 1991
Publication date： Jul. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 増幅素子の性能を最大限に引き出して電力のロスを生じることなく、出力電力を変化させる。【構成】 消費電力低減のために、FET11の動作点を変更しようとするとき、CPU16から電圧変化部15に対してFET11に印加するバイアス電圧の変更を指令し、リエクタンス素子17、18を介してバイアス電圧を切り換えるとともに、スイッチ31、33をオンして各オープンスタブ32、34を入力回路12、出力回路13にそれぞれ並列的に加える。出力整合手段37のインピーダンスが変更されることにより、FET11の交流負荷線がバイアス電圧変換に対して最も効率の良い増幅が行われるように自動的に設定され、電力のロスなく消費電力が抑えられる。また、入力整合手段36のインピーダンスが変更されることにより、入力側からみたSパラメータがバイアス電圧の変更にかかわらず最適値となり、伝送効率が良く電力ロスがなくなる。
Claim (excerpt)：
高周波の電力増幅を行い、バイアス電圧によって動作点が変る高周波電力増幅手段と、前記高周波電力増幅手段に対してバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加手段と、前記高周波電力増幅手段の入出力信号の整合を行う整合手段と、前記高周波電力増幅手段の動作点を変更するとき、前記バイアス電圧印加手段に対して高周波電力増幅手段に印加するバイアス電圧の変更を指令するとともに、前記整合に対してインピーダンスの変更を指令する制御手段と、を備えたことを特徴とする高周波電力増幅装置。
IPC (3)：
H03F 3/60
, H03F 3/193
, H03F 3/24
