Pat

J-GLOBAL ID：200903089377973360

薄膜トランジスタ用単結晶シリコン層の形成方法

Inventor： 浅儀 典生 ,  林 司
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 山本 惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992336646
Publication number (International publication number)：1994163590
Application date： Nov. 24, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 アモルファスシリコン膜の結晶化方法を改善することによって、ガラス基板上の薄膜トランジスタを形成する部分だけに単結晶シリコン層を形成することができる単結晶シリコン層の形成方法を提供する。【構成】 移動ステージ26上に、表面に薄膜トランジスタ形成用のアモルファスシリコン膜24が設けられたガラス基板22を載せておき、このアモルファスシリコン膜24に、レーザ光源28から出力されたレーザ光30を、レンズ32およびマスク34を介して照射する。マスク34は、中央部に凹部39を有し全体が凸状をした複数の非球面レンズ38と遮光部40とを有している。このようにして、薄膜トランジスタを形成する部分だけアモルファスシリコン膜24を単結晶化する。

Claim (excerpt)：

ガラス基板上に設けられた薄膜トランジスタ形成用のアモルファスシリコン膜に、中央部に凹部を有し全体が凸状をした1以上の非球面レンズとこの非球面レンズ以外の部分にあってレーザ光を遮る遮光部とを有するマスクを介して、しかもマスクとアモルファスシリコン膜との水平方向の相対的な位置関係を変えながらレーザ光を照射し、それによって薄膜トランジスタを形成する部分だけアモルファスシリコン膜を単結晶化することを特徴とする薄膜トランジスタ用単結晶シリコン層の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/263 ,  H01L 21/324