窒化ガリウムエピタキシャル層の形成方法及び発光素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999071298
Publication number (International publication number)：2000269142
Application date： Mar. 17, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】得られるGaNエピタキシャル層と基層との間に大きな熱歪を発生させることなく、しかも製造コストの増大を抑えたGaNエピタキシャル層の形成方法の提供が望まれている。【解決手段】基層1表面上に、触媒CVD法により窒化ガリウムを結晶成長させて窒化ガリウムエピタキシャル層2を得る窒化ガリウムエピタキシャル層の形成方法。触媒CVD法により窒化ガリウムを結晶成長させるに先立ち、基層1表面を露出させる開口部3を有したマスク4を形成し、その後、マスク4の開口部3内にて露出した基層1表面上に、触媒CVD法により選択的に窒化ガリウムを結晶成長させて窒化ガリウムエピタキシャル層2を得るようにしてもよい。

Claim (excerpt)：

基層表面上に、触媒CVD法により窒化ガリウムを結晶成長させて窒化ガリウムエピタキシャル層を得ることを特徴とする窒化ガリウムエピタキシャル層の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C

F-Term (38)：

5F041AA40 , 5F041CA02 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA64 , 5F041CA67 , 5F045AB14 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB34 , 5F045AC07 , 5F045AC12 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB07 , 5F045CA09 , 5F045CA10 , 5F045DB02 , 5F045DP05 , 5F045EK08 , 5F045HA04 , 5F045HA19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

III-V族化合物半導体の気相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-089338 Applicant：日立電線株式会社
無転位GaN基板の製造方法及びGaN基材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-350701 Applicant：三菱電線工業株式会社
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-135220 Applicant：旭化成工業株式会社

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