Pat

J-GLOBAL ID：200903089401567441

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 神力 博 ,  小宮 隆行 ,  太田 与洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995001865
Publication number (International publication number)：1996191054
Application date： Jan. 10, 1995
Publication date： Jul. 23, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 アニミニウムに対する十分に高い拡散防止効果を有する半導体を提供する。【構成】 半導体基板の表面領域に形成された拡散層に金属配線を接続する接続構造を形成するに際し、拡散層上に、窒素を含む雰囲気中で窒素を含む金属層を形成する工程と、加熱処理により金属シリサイド膜を形成する工程と、金属層の未反応の部分を除去して拡散層上に金属シリサイド膜を形成する工程と、この金属シリサイド膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜を選択的に除去して、底部に金属シリサイド膜が露出するように接続孔を形成する工程と、この接続孔の内部に金属材料を選択的に堆積させて埋込プラグを形成する工程により、層間絶縁膜上に金属配線層を形成する。

Claim (excerpt)：

表面領域に形成された拡散層を有する半導体基板と、前記拡散層上に形成され、0.5〜10原子%の窒素を含有する金属シリサイド膜と、この金属シリサイド膜上に形成した絶縁層と、この絶縁膜に、底部に前記金属シリサイド膜が露出するように形成されたコンタクト孔と、このコンタクト孔の内部に前記金属シリサイド膜と接触するように形成された金属プラグと、この金属プラグと接触するように形成された金属配線パターンとを具えることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 D