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J-GLOBAL ID：200903089403914750

膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料

Inventor：
西川 通則

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井上 靖健

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角田 真由美

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海老沢 政彦

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玉木 研太郎

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山田 欣司

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Applicant, Patent owner：
ジェイエスアール株式会社

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Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999228167
Publication number (International publication number)：2001049172
Application date： Aug. 12, 1999
Publication date： Feb. 20, 2001
Summary：
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の耐クラック特性や機械的強度や誘電率特性に優れた膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2) で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・(2)(R3,R4,R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方ならびに(B)分子内に2個以上の水酸基を有する化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
Claim (excerpt)：
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1aSi(OR2)4-a ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)および(A-2)下記一般式(2) で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・(2)(R3,R4,R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-で表される基を示し、nは1〜6を、dは0または1を示す。)からなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物の加水分解物および縮合物もしくはいずれか一方ならびに(B)分子内に2個以上の水酸基を有する化合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (3)：
C09D183/00 ,  C09D 5/25 ,  H01L 21/312
FI (3)：
C09D183/00 ,  C09D 5/25 ,  H01L 21/312 C
F-Term (17)：
4J038CG142 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038JA20 ,  4J038JA34 ,  4J038JC38 ,  4J038KA04 ,  4J038NA11 ,  4J038NA21 ,  4J038PB09 ,  5F058AA02 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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