Pat

J-GLOBAL ID：200903089406873370

配線基板、その製造方法、非晶質ガラス、配線基板用セラミック組成物、電子回路装置、電子計算機用モジュール、および電子計算機

Inventor： 石原 昌作 ,  児玉 弘則 ,  岡本 正英 ,  種井 平吉 ,  岩永 昭一 ,  庄子 房次 ,  勝村 宣仁 ,  佐藤 了平 ,  小林 二三幸 ,  田上 文一 ,  千石 則夫 ,  矢木 邦博 ,  中村 真人 ,  森田 耕策 ,  藤田 毅
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 富田 和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995210850
Publication number (International publication number)：1996333157
Application date： Aug. 18, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】900〜1050°Cで焼結し、比誘電率が小さく、熱膨張係数がシリコンと整合し、曲げ強度の大きいセラミック配線基板およびその製造方法。【構成】軟化温度が850〜1100°Cのガラス、すなわち、図1(SiO2-B2O3-R2O系三角組成図。小円の位置により各組成が示され、小円内の数字は組成番号を示す)において、第1、第3、第10、第11、第4の組成を示す点をそれぞれ結ぶ線により囲まれる領域内(線上含む)の点の示す組成を有するガラスを原料として用いる。バインダには、水系分散型粒子を用い、焼成工程においてグリーンシートを厚さ方向に加圧する。

Claim (excerpt)：

非晶質ガラスと、フィラーと、有機バインダと、スラリー調製用溶剤とを混合してスラリーを調製するスラリー調製工程と、上記スラリーをシート状に加工して、グリーンシートを調製するグリーンシート調製工程と、上記グリーンシートにビアホールおよび/または配線を形成する導体形成工程と、上記グリーンシートを700〜880°Cに加熱して脱バインダし、900〜1050°Cに加熱して焼結する加熱工程とを、この順に有し、上記非晶質ガラスは、軟化温度が850〜1100°Cのガラスであることを特徴とする配線基板の製造方法。

IPC (4)：

C04B 35/16 ,  H01B 13/00 503 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/46

FI (5)：

C04B 35/16 Z ,  H01B 13/00 503 Z ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 多層セラミック焼結体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-239327   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭63-215560
  
• 特開平4-243963
  
• 特開平3-257041