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J-GLOBAL ID：200903089436044913

量子ドットの形成方法及び半導体素子

Inventor： シャンムカム サラバナン ,  パブロ バッカロ ,  ホセ マリア サナルディ オカンポ ,  久保田 和芳 ,  斎藤 信雄
Applicant, Patent owner： 株式会社国際電気通信基礎技術研究所
Agent (2)： 河野 登夫 ,  河野 英仁
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004111455
Publication number (International publication number)：2005294763
Application date： Apr. 05, 2004
Publication date： Oct. 20, 2005
Summary：

【課題】 半導体の高指数面であっても、その表面に均一性に優れた量子ドットを低コストで形成することができる量子ドットの形成方法、及び該形成方法により平面視が略円形の量子ドットが形成された半導体素子を提供する。 【解決手段】 t0 〜t1 ,t2 〜t3 ,...,t2k〜t2k+1の時間、Inを基板へ照射し、t1 〜t2 ,t3 〜t4 ,...,t2k-1〜t2kの時間、Inの基板への照射を停止する。このようにして、In分子の基板への照射と未照射とを繰り返す。一方、t0 〜t2k+1の時間、Asを連続的に基板へ照射する。例えば、2.5秒間、In分子を基板へ照射した後、1秒間、基板への照射を停止する処理シーケンスを10回繰り返す。一方、34秒間、As分子を基板へ連続して照射する。これにより、その膜厚が臨界膜厚となるまでは、2次元的なエピタキシャル膜が形成され、膜厚が臨界膜厚となった後は、量子ドットの核であるグレインの成長に寄与する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

半導体の表面に、複数の材料を供給して膜を成長させて量子ドットを形成する量子ドットの形成方法において、 前記複数の材料のうち、少なくとも1つの材料を間欠的に供給すること を特徴とする量子ドットの形成方法。

IPC (3)：

H01S5/323 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06

FI (3)：

H01S5/323 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 601D

F-Term (14)：

5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AD09 ,  5F045AF04 ,  5F045DA56 ,  5F173AA35 ,  5F173AF09 ,  5F173AH03 ,  5F173AH22 ,  5F173AH49 ,  5F173AP07 ,  5F173AP17 ,  5F173AP22 ,  5F173AR02