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J-GLOBAL ID：200903089442597185

半導体ウェーハの製造方法

Inventor： 中澤 厚生 ,  迎 勇一郎 ,  田尻 知朗
Applicant, Patent owner： コマツ電子金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995140108
Publication number (International publication number)：1996316180
Application date： May. 16, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ディスクリートデバイス用ウェーハおよびこのウェーハを用いるエピタキシャルウェーハを短期間に、かつ安価に製造できるようにする。【構成】 シリコン単結晶をスライス、面取りの後、表裏両面を平面研削する。その際、ウェーハの裏側の面は#600以下の砥石を用いて荒研削のみ行い、表側の面は#2000以上の砥石を用いて仕上げ研削する。次にこのウェーハに化学研磨を施すが、表側の面は前記平面研削による加工変質層を除去して鏡面に近い状態に仕上げる。これにより、後工程のリソグラフィに十分対応できる表面状態が得られる。また、裏側の面は前記加工変質層が残るようにエッチングし、エクストリンシックゲッタリング機能を保持させる。エピタキシャルウェーハの場合は、前記ウェーハの表側の面にエピタキシャル成長を施す。本製造方法は、従来に比べて加工工程数が少なく、リードタイムの短縮とコストの低減ができる。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハの表側および裏側の面を、平面研削と化学研磨とによって仕上げることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 331

FI (2)：

H01L 21/304 321 Z ,  H01L 21/304 331

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-081934
  
• 特開平4-115528
  
• 特開昭63-256342
  
• 特開平4-280429