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J-GLOBAL ID：200903089443475610

粒子線治療装置及び治療計画装置及び荷電粒子ビーム照射方法

Inventor： 藤▲高▼ 伸一郎 ,  松田 浩二 ,  平本 和夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001323426
Publication number (International publication number)：2003126278
Application date： Oct. 22, 2001
Publication date： May. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】少ないビーム照射スポット数で、患部領域に照射される線量を平坦にすることが出来る荷電粒子ビーム照射方法を提供することにある。【解決手段】患部を層分けし、ある層Siの2次元平面状の面内で三角形にビーム照射スポットを設置し、層Siのビーム照射スポットの間に、一つ手前の層Si-1のビーム照射スポットを、ある層Siに設定した三角形のビーム照射スポットの中心に設定する。これにより少ないビーム照射スポット数で患部領域を平坦に照射することが可能となる。

Claim (excerpt)：

荷電粒子ビームを加速する加速器と、前記加速器により加速された荷電粒子ビームの照射位置を制御する走査電磁石を有する照射系装置と、前記加速器と前記照射系装置に対する照射パラメータを患者の画像診断データから計算する治療計画装置からなり、前記治療計画装置は患部を複数の層に分割し更に各層面内にビーム照射スポットを配置し、前記加速器により加速された荷電粒子ビームは前記走査電磁石によりビーム照射スポット間を移動、照射を繰り返す粒子線治療装置において、ある層のビーム照射スポットの間に、一つ手前の層のビーム照射スポットを配置することを特徴とする粒子線治療装置。

IPC (3)：

A61N 5/10 ,  G21K 5/00 ,  G21K 5/04

FI (4)：

A61N 5/10 E ,  A61N 5/10 P ,  G21K 5/00 R ,  G21K 5/04 A

F-Term (5)：

4C082AA01 ,  4C082AC04 ,  4C082AE01 ,  4C082AG12 ,  4C082AN02