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J-GLOBAL ID：200903089448199700
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992255732
Publication number (International publication number)：1994084991
Application date： Aug. 31, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 通常にボンディングされているワイヤのループ形状を変化させて配線箇所の実装高さを低減させることができるようにする。【構成】 集積回路チップ20のパッド21と他の部材のリード23との間で電気的な接続を行うために、予め絶縁被覆ワイヤ22をボンディングする。この通常にボンディングされている絶縁被覆ワイヤ22に、絶縁被覆ワイヤ24を交差させて押さえ付けるようにパッド25間でボンディングを行う。絶縁被覆ワイヤ22のループ形状を機械的に変化させて低くし、配線箇所の実装高さを低減する。【効果】 通常のワイヤボンディングの後にループ高さを低減させることができ、小型薄型パッケージの半導体装置を実現することができる。
Claim (excerpt)：
電気的な接続を行うために予めワイヤがボンディングされている配線箇所に、絶縁被覆ワイヤを前記ワイヤに交差させてこのワイヤを押さえ付けるようにボンディングしてなる半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/60 301
, H01L 21/60
