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J-GLOBAL ID：200903089449530655

半導体レーザー

Inventor： 早川 利郎
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993173250
Publication number (International publication number)：1995030192
Application date： Jul. 13, 1993
Publication date： Jan. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 構造が簡単で温度変化や振動等の外乱に強く、その上容易に作製可能な、進行波増幅領域を備えた半導体レーザーを得る。【構成】 光ガイド層24,26,28からなる活性層に沿って進行波増幅領域(利得領域)10を設けるとともに、光ガイド層24,26,28に、この光ガイド層を導波する光を反射回折させるグレーティング12からなる唯一のDBR領域11を結合させる。

Claim (excerpt)：

活性層に沿って進行波増幅領域が設けられるとともに、活性層を構成する光ガイド層に、この光ガイド層を導波する光を反射回折させる唯一のDBR(分布ブラッグ反射)領域が結合されていることを特徴とする半導体レーザー。