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J-GLOBAL ID：200903089477520622
半導体装置および半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
小池 晃
, 田村 榮一
, 伊賀 誠司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002352757
Publication number (International publication number)：2004186497
Application date： Dec. 04, 2002
Publication date： Jul. 02, 2004
Summary：
【課題】シリコン基板のような半導体基板の導電率の影響を受けずに高いQ値の特性を得ることができ、小型化および薄型化を図ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体基板11と、半導体基板11に搭載された半導体チップ13、半導体基板11に形成されて半導体チップ13を覆う電気絶縁性樹脂層15と、電気絶縁性樹脂層15に形成されて半導体チップ13の電極に対して電気的に接続されている導電金属層17と、導電金属層17に形成される追加電極21を形成するのと同時に形成されるインダクタ20と、導電金属層17に形成されてインダクタ20を覆うバッファ層23とを備える。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板と、
前記半導体基板に搭載された半導体チップと、
前記半導体基板に形成されて前記半導体チップを覆う電気絶縁性樹脂層と、
前記電気絶縁性樹脂層に形成されて前記半導体チップの電極に対して電気的に接続されている導電金属層と、
前記導電金属層に形成される追加電極を形成するのと同時に形成されるインダクタと、
前記導電金属層に形成されて前記インダクタを覆うバッファ層と、を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (1)：
FI (2)：
H01L23/12 501P
, H01L23/12 B
Cited by examiner (5)
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半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-127344
Applicant：富士通株式会社
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半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-007605
Applicant：新光電気工業株式会社
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半導体パッケージの製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-150886
Applicant：松下電工株式会社
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