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J-GLOBAL ID：200903089483736173

近接場光発生素子及び光ヘッド

Inventor： 中野 隆志 ,  富永 淳二 ,  阿刀田 伸史 ,  佐藤 彰 ,  波多野 卓史
Applicant, Patent owner： 工業技術院長 ,  ミノルタ株式会社
Agent (1)： 220000415 工業技術院産業技術融合領域研究所長 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999023969
Publication number (International publication number)：2000223767
Application date： Feb. 01, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 近接場光を利用した高密度光メモリにおいて、簡単なプロセスによって製作でき、光の利用効率の高い近接場光発生素子及び光ヘッドを得る。【解決手段】 高屈折率物質からなる固浸レンズ15の出射平面に、Alからなる第1の薄膜25と、SiNからなる中間膜26と、Alからなる第2の薄膜27とを設けた。薄膜25には第1の開口25aが形成され、薄膜27には第2の開口27aが形成され、開口27aは開口25aよりも小面積とされている。

Claim (excerpt)：

高屈折率物質からなる素子本体の出射面に、第1の光透過部と中間膜と第2の光透過部を設け、第2の光透過部は第1の光透過部よりも小面積であることを特徴とする近接場光発生素子。

IPC (3)：

H01S 5/02 ,  G02B 21/06 ,  G11B 7/135

FI (3)：

H01S 3/18 610 ,  G02B 21/06 ,  G11B 7/135 A

F-Term (17)：

2H052AA00 ,  2H052AA07 ,  2H052AC05 ,  2H052AC18 ,  2H052AC34 ,  5D119AA11 ,  5D119AA22 ,  5D119BA01 ,  5D119CA06 ,  5D119JA33 ,  5D119JA44 ,  5D119JA64 ,  5F073AB25 ,  5F073AB27 ,  5F073BA06 ,  5F073DA35 ,  5F073FA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 情報の光記録又は再生方法並びに光記録又は再生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-303618   Applicant：株式会社日立製作所
• スリット・イルミネーションを採用する近距離場磁気光学的記録システム
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平11-500715   Applicant：ボードオブトラスティーズオブザリーランドスタンフォードジュニアユニバーシティ