イオン伝導性薄膜及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：池内寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993194420
Publication number (International publication number)：1995048459
Application date： Aug. 05, 1993
Publication date： Feb. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】化学吸着法を用いてオングストロームオーダーの膜厚の成膜および膜厚制御が可能で、そのため透明性が良好でかつピンホールフリー、しかもかつ強固に基体と結合しているイオン伝導性薄膜を提供する。【構成】膜構成分子2が基体と直接若しくは内層膜を介して間接的にSi、Ge、Sn、Ti、Zr、S、Cから選ばれる少なくとも1つの原子を介して共有結合しており、前記膜内にエーテル結合、スルフィド結合、エステル結合、アミノ基、リン酸基、水酸基、メルカプト基、カルボキシル基、スルホン酸基、第4級アンモニウム基、ホスフォニル基(-PO2 -)、ホスフィニル基(-PO-)、スルフォニル基(-SO2 -)、スルフィニル基(-SO-)から選ばれる少なくとも1つの結合若しくは官能基、かつイオンを含んでいる。

Claim (excerpt)：

基体表面と共有結合によって形成されている化学吸着膜であって、エーテル結合、スルフィド結合、エステル結合、アミノ基、リン酸基、水酸基、メルカプト基、カルボキシル基、スルホン酸基、第4級アンモニウム基、ホスフォニル基(-PO2 -)、ホスフィニル基(-PO-)、スルフォニル基(-SO2 -)、及びスルフィニル基(-SO-)から選ばれる少なくとも1つの結合若しくは官能基を含み、かつ一般式(化1)及び一般式(化2)から選ばれる少なくとも一つのイオンを含み、かつイオン伝導性を有することを特徴とするイオン伝導性薄膜。【化1】【化2】

IPC (3)：

C08J 5/18 CFJ , B01J 19/00 , C09K 3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

親水性薄膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-220823 Applicant：松下電器産業株式会社
帯電防止膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-109874 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平4-328701

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