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J-GLOBAL ID：200903089489984187

単結晶引き上げ装置

Inventor： 西元 学 ,  奥井 正彦 ,  久保 高行 ,  木崎 信吾 ,  堀井 淳二
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 押田 良久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998010351
Publication number (International publication number)：1999209193
Application date： Jan. 22, 1998
Publication date： Aug. 03, 1999
Summary：

【要約】【課題】 赤外散乱体や転位クラスター等と呼ばれるgrown-in欠陥の密度の低い単結晶を育成することのできる単結晶引き上げ装置を提供すること。【解決手段】 溶融液3が充填される坩堝1、及び坩堝1の周囲に配置されたヒータ2等を備えた単結晶引き上げ装置において、溶融液3面近傍の引き上げられた単結晶6の上方への放射熱の発散を抑制するためのリング状の本体部10aを備えた熱遮蔽装置19を配設する。

Claim (excerpt)：

溶融液が充填される坩堝、及び該坩堝の周囲に配置されたヒータ等を備えた単結晶引き上げ装置において、溶融液面近傍の引き上げられた単結晶の上方への放射熱の発散を抑制するためのリング状の本体部を備えた熱遮蔽装置が配設されていることを特徴とする単結晶引き上げ装置。

IPC (2)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502

FI (2)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 C