導波路型光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994009116
Publication number (International publication number)：1995221387
Application date： Jan. 31, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】本発明は半導体光素子に関し、特に極めて簡易な作製法で実現可能な低しきい値で、高出力かつ高速動作を可能とするインジウム燐系リッジ装荷型レーザの素子構造及びその作製方法を提供することを目的とする。【構成】インジウム燐系リッジ装荷型光導波路の側壁形状を逆メサ形状にすることにより、電極接触幅の拡大、発光領域の狭窄化を通じて素子特性を大きく向上する、光導波路構造およびその作製方法を開示する。【効果】本発明を用いれば、素子性能、歩留まりが飛躍的に向上するだけでなく、この素子を適用した光通信システムの大容量化、長距離化を容易に実現できる。

Claim (excerpt)：

インジウム燐基板上に形成されたリッジ装荷型光導波素子においてリッジの側壁が逆メサ形状を有することを特徴とする導波路型光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平4-043691
特公昭56-062386
特開平1-215089

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Cited by examiner (5)

特開平4-043691
特公昭56-062386
特開平1-215089

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